Technologie / MONDE

Carnegie Mellon fabrique des transistors au disulfure de molybdène de moins de 5 nanomètres de canal

Carnegie Mellon a annoncé le 15 octobre des travaux sur des transistors en disulfure de molybdène, un semi-conducteur bidimensionnel. L’étude publiée dans Nature Communications présente des canaux physiques de moins de 5 nanomètres et, selon l’université, des performances de commutation dépassant la limite théorique du silicium à taille comparable.

La source ne précise pas la date de l’événement ; la période indiquée est celle de la consultation de la source.

Illustration conceptuelle de la technologie, des processeurs et des informations connectées.Illustration
Illustration symbolique

Une cavité d’air sous le canal aide la grille à contrôler le courant et à réduire les fuites. Les transistors ont été fabriqués sur une plaquette de quatre pouces. Cette démonstration de recherche n’est pas encore prête à être commercialisée et ne remplace pas le silicium en production de masse.

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Recherche sur les semi-conducteurs

Démonstration de dispositifs MoS₂

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    Recherche sur les semi-conducteurs

    Démonstration de dispositifs MoS₂

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Date du communiqué universitaire; jour de l’expérience non précisé. La recherche n’est pas classée en production commerciale ou livraisons de puces.

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  • États-Unis · Rôle du lieu: Couverture · Type de lieu: Pays ou territoire · Précision de localisation: Régionale
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    • Explicit preserved editorial country/region; no city or national centroid inferredwww.ece.cmu.edu ↗
Version de la taxonomie: IPTC Media Topics 2026-Q2

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