Carnegie Mellon fabrica transistores de disulfuro de molibdeno con canales inferiores a 5 nanómetros
Carnegie Mellon anunció el 15 de octubre una investigación sobre transistores de disulfuro de molibdeno, un semiconductor bidimensional. El estudio en Nature Communications fabricó dispositivos con canales físicos de menos de 5 nanómetros y, según la universidad, una conmutación que supera el límite teórico del silicio de tamaño comparable.
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Un espacio de aire bajo el canal ayuda a la puerta a controlar la corriente y reducir las fugas. El equipo fabricó los transistores en una oblea de cuatro pulgadas. Es una demostración de investigación; la tecnología aún no está lista para comercializarse ni ha sustituido al silicio en la producción masiva.
Datos
Investigación de semiconductores
Demostración de dispositivos MoS₂
- · Ocurrido
Investigación de semiconductores
Demostración de dispositivos MoS₂
Metodología
Fecha del anuncio universitario; día del experimento no indicado. No se clasifica como producción comercial ni envíos de chips.
Actualizado:
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- SemiconductoresSugerido
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- Ciencia y tecnologíaSugerido
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