Carnegie Mellon fabrica transistores de dissulfeto de molibdênio com canais abaixo de 5 nanômetros
A Carnegie Mellon anunciou em 15 de outubro pesquisa sobre transistores de dissulfeto de molibdênio, semicondutor bidimensional. O estudo na Nature Communications produziu dispositivos com canais físicos abaixo de 5 nanômetros e, segundo a universidade, desempenho de comutação superior ao limite teórico do silício de tamanho comparável.
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Um espaço de ar sob o canal ajuda a porta a controlar a corrente e reduzir vazamentos. A equipe fabricou os transistores em uma lâmina de quatro polegadas. Trata-se de demonstração de pesquisa; a tecnologia ainda não está pronta para comercialização nem substituiu o silício na produção em massa.
Dados
Pesquisa de semicondutores
Demonstração de dispositivos MoS₂
- · ocorrido
Pesquisa de semicondutores
Demonstração de dispositivos MoS₂
Metodologia
Data do anúncio universitário; dia do experimento não informado. Pesquisa não classificada como produção comercial ou remessa de chips.
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