Carnegie Mellon, molibden disülfürle 5 nanometreden kısa transistör kanalları üretti
Carnegie Mellon Üniversitesi, 15 Ekim’de iki boyutlu yarı iletken molibden disülfürden üretilen transistörlere ilişkin araştırmasını duyurdu. Nature Communications’ta yayımlanan çalışmada fiziksel kanal uzunluğu 5 nanometrenin altında olan aygıtlar, üniversiteye göre benzer boyuttaki silisyumun teorik sınırını aşan anahtarlama performansı gösterdi.
Kaynak inceleme dönemi:
Yayın: · Güncelleme:
Kaynak olay tarihini belirtmiyor; gösterilen dönem kaynak incelemesinin dönemidir.
Kanalın altındaki hava boşluğu, kapının akımı kontrol etmesine ve kaçağı azaltmasına yardımcı oluyor. Ekip transistörleri dört inçlik bir yonga plakası üzerinde üretti. Bu bir araştırma gösterimi; teknoloji henüz ticarileştirmeye hazır değil ve seri üretimde silisyumun yerini aldığı anlamına gelmiyor.
Veriler
Yarı iletken araştırması
MoS₂ aygıt gösterimi
- · Gerçekleşti
Yarı iletken araştırması
MoS₂ aygıt gösterimi
Yöntem
Üniversitenin duyuru tarihi kaydedildi; deney günü belirtilmedi. Araştırma sonucu ticari üretim veya çip sevkiyatı olarak sınıflandırılmadı.
Güncelleme:
Konular ve yerler
Konu önerileri
- Yarı iletkenler ve elektronik bileşenlerÖneri
- Subject suggested from the title or summary: semiconductorwww.ece.cmu.edu ↗
- Bilim ve teknolojiÖneri
- Preserved editorial category/topic; broad candidate onlywww.ece.cmu.edu ↗
Coğrafi referanslar
Yalnızca kaynakta bulunan coğrafi referanslar gösterilir. Harici haritayı açmak isteğe bağlıdır. İsteğe bağlı haber haritaları OpenStreetMap kullanır. Haritayı açtığınızda IP adresiniz ve site adresi harita sağlayıcısına iletilir; harita yüklenmeden konum verileri metin olarak okunabilir.
- Amerika Birleşik Devletleri · Yer rolü: Kapsam · Yer türü: Ülke veya bölge · Konum kesinliği: BölgeselKanıt
- Explicit preserved editorial country/region; no city or national centroid inferredwww.ece.cmu.edu ↗