Navitas dévoile une famille de modules de puissance SiC de 2 300 V et 8 mΩ
Le nouveau module en pont complet a été annoncé pour les applications réseau et de stockage d’énergie.
Période de l’événement / des données: 2026-10-21
Publié: · Mis à jour:
Navitas Semiconductor a annoncé le 21 octobre une famille de modules de puissance en carbure de silicium (SiC) de 2 300 volts en pont complet, référence G4H08MT23GB4. L’entreprise indique une résistance à l’état passant de 8 milliohms.
La famille de modules vise les transformateurs statiques, le stockage par batteries à l’échelle du réseau, les onduleurs solaires et la recharge de véhicules électriques à l’échelle du mégawatt. Le communiqué présente des spécifications et des applications visées, sans gains d’efficacité mesurés sur le terrain.
Données
Résistance à l’état passant du module
- · Survenu
Famille de produits annoncée
Navitas a présenté le module SiC G4H08MT23GB4 de 2 300 V en pont complet, avec une résistance à l’état passant annoncée de 8 mΩ. Il s’agit d’une spécification produit, pas d’une mesure d’efficacité système.
Méthodologie
Les spécifications proviennent du communiqué de l’entreprise du 21 octobre ; il s’agit d’une annonce de produit en développement.
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