Navitas stellt SiC-Leistungsmodulfamilie mit 2300 V und 8 mΩ vor
Das neue Vollbrückenmodul wurde für Netz- und Energiespeicheranwendungen vorgestellt.
Ereignis-/Datenzeitraum: 2026-10-21
Veröffentlicht: · Aktualisiert:
Navitas Semiconductor kündigte am 21. Oktober eine 2300-Volt-Siliziumkarbid-Leistungsmodulfamilie (SiC) in Vollbrückenausführung mit der Teilenummer G4H08MT23GB4 an. Das Unternehmen gibt einen Einschaltwiderstand von 8 Milliohm an.
Die Modulreihe ist für Festkörpertransformatoren, netzweite Batteriespeicher, Solarwechselrichter und Megawatt-Ladestationen für Elektrofahrzeuge vorgesehen. Die Mitteilung nennt Spezifikationen und Zielanwendungen, jedoch keine im Feld gemessenen Effizienzgewinne.
Daten
Einschaltwiderstand des Moduls
- · eingetreten
Produktfamilie vorgestellt
Navitas stellte das SiC-Modul G4H08MT23GB4 mit 2300 V in Vollbrückenausführung und einem vom Unternehmen angegebenen Einschaltwiderstand von 8 mΩ vor. Dies ist eine Produktspezifikation, keine Messung der Systemeffizienz.
Methodik
Die Spezifikationen stammen aus der Unternehmensmitteilung vom 21. Oktober; es handelt sich um eine Produktankündigung für eine Technologie in Entwicklung.
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