Navitas presenta una familia de módulos de potencia SiC de 2300 V y 8 mΩ
El nuevo módulo de puente completo se anunció para aplicaciones de red y almacenamiento de energía.
Período del evento / de los datos: 2026-10-21
Publicado: · Actualizado:
Navitas Semiconductor anunció el 21 de octubre una familia de módulos de potencia de carburo de silicio (SiC) de 2300 voltios en puente completo, referencia G4H08MT23GB4. La empresa indica una resistencia en conducción de 8 miliohmios.
La familia de módulos se destina a transformadores de estado sólido, almacenamiento en baterías a escala de red, inversores solares y carga de vehículos eléctricos a escala de megavatios. El comunicado describe especificaciones y aplicaciones previstas, sin informar de mejoras de eficiencia medidas en campo.
Datos
Resistencia en conducción del módulo
- · Ocurrido
Familia de productos anunciada
Navitas presentó el módulo SiC G4H08MT23GB4 de 2300 V en puente completo, con una resistencia en conducción indicada por la empresa de 8 mΩ. Es una especificación del producto, no una medición de eficiencia del sistema.
Metodología
Las especificaciones proceden del comunicado de la empresa del 21 de octubre; es un anuncio de un producto en desarrollo.
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