Navitas apresenta família de módulos de potência SiC de 2300 V e 8 mΩ
O novo módulo de ponte completa foi anunciado para aplicações de rede e armazenamento de energia.
Período do evento/dos dados: 2026-10-21
Publicado: · Atualizado:
A Navitas Semiconductor anunciou em 21 de outubro uma família de módulos de potência de carboneto de silício (SiC) de 2300 volts em ponte completa, referência G4H08MT23GB4. A empresa informa resistência em condução de 8 miliohms.
A família de módulos destina-se a transformadores de estado sólido, armazenamento em baterias em escala de rede, inversores solares e recarga de veículos elétricos em escala de megawatts. O comunicado descreve especificações e aplicações pretendidas, sem relatar ganhos de eficiência medidos em campo.
Dados
Resistência em condução do módulo
- · ocorrido
Família de produtos anunciada
A Navitas apresentou o módulo SiC G4H08MT23GB4 de 2300 V em ponte completa, com resistência em condução de 8 mΩ informada pela empresa. Trata-se de especificação do produto, não de medição da eficiência do sistema.
Metodologia
As especificações vêm do comunicado da empresa de 21 de outubro; trata-se do anúncio de um produto em desenvolvimento.
Atualizado:
Temas e lugares
Sugestões de temas
- EmpresasAnotação sugerida
- Preserved editorial category/topic; broad candidate onlyrss.globenewswire.com ↗
- Energia e recursosAnotação sugerida
- Subject suggested from the title or summary: energyrss.globenewswire.com ↗
Referências geográficas
São exibidas apenas referências geográficas fornecidas pela fonte. Abrir um mapa externo é opcional. Os mapas opcionais das notícias usam o OpenStreetMap. Ao abrir um mapa, seu endereço IP e o endereço deste site são enviados ao provedor do mapa. Os dados de localização continuam disponíveis em texto sem carregar o mapa.
- Estados Unidos · Função do lugar: Cobertura · Tipo de lugar: país ou área · Precisão da localização: regionalEvidência
- Explicit preserved editorial country/region; no city or national centroid inferredrss.globenewswire.com ↗