Navitas, 2300 V ve 8 mΩ SiC güç modülü ailesini tanıttı
Yeni tam köprü modülü, şebeke ve enerji depolama uygulamaları için duyuruldu.
Olay / veri dönemi: 2026-10-21
Yayın: · Güncelleme:
Navitas Semiconductor, 21 Ekim’de G4H08MT23GB4 model numaralı, 2300 voltluk tam köprü silikon karbür (SiC) güç modülü ailesini duyurdu. Şirket, açık durum direncini 8 miliohm olarak bildirdi.
Modül ailesi katı hal transformatörleri, şebeke ölçekli batarya depolama, güneş invertörleri ve megavat ölçekli elektrikli araç şarjı için konumlandırılıyor. Açıklama, ürün özelliklerini ve hedef uygulamaları veriyor; sahada ölçülmüş verimlilik kazanımı bildirmiyor.
Veriler
Module on-resistance
- · Gerçekleşti
Ürün ailesi duyurusu
Navitas, G4H08MT23GB4 2300 V tam köprü SiC modülünü, şirketin bildirdiği 8 mΩ anahtar başına açık durum direnciyle tanıttı. Bu bir ürün özelliğidir, sistem verimliliği ölçümü değildir.
Yöntem
Özellikler 21 Ekim tarihli şirket duyurusundan alınmıştır; bu bir araştırma ve geliştirme aşamasındaki ürün duyurusudur.
Güncelleme:
Konular ve yerler
Konu önerileri
- İşletmelerÖneri
- Preserved editorial category/topic; broad candidate onlyrss.globenewswire.com ↗
- Enerji ve kaynaklarÖneri
- Subject suggested from the title or summary: energyrss.globenewswire.com ↗
Coğrafi referanslar
Yalnızca kaynakta bulunan coğrafi referanslar gösterilir. Harici haritayı açmak isteğe bağlıdır. İsteğe bağlı haber haritaları OpenStreetMap kullanır. Haritayı açtığınızda IP adresiniz ve site adresi harita sağlayıcısına iletilir; harita yüklenmeden konum verileri metin olarak okunabilir.
- Amerika Birleşik Devletleri · Yer rolü: Kapsam · Yer türü: Ülke veya bölge · Konum kesinliği: BölgeselKanıt
- Explicit preserved editorial country/region; no city or national centroid inferredrss.globenewswire.com ↗