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Microchip lance un convertisseur GaN résistant aux radiations pour processeurs spatiaux

Microchip Technology a ajouté le POL-05-20S-T, un convertisseur point de charge en nitrure de gallium (GaN) résistant aux radiations pour les systèmes spatiaux. L’entreprise indique qu’il fournit un courant de sortie continu de 20 A et vise les rails d’alimentation à fort courant des FPGA, microcontrôleurs et ASIC.

Illustration conceptuelle de la technologie, des processeurs et des informations connectées.Illustration
Illustration symbolique

Les spécifications publiées indiquent une entrée de 4,75 à 13,2 V et une sortie réglable de 0,7 à 5 V; le boîtier monté en surface pèse 25 g. Microchip spécifie une tolérance à une dose ionisante totale jusqu’à 50 krad et caractérise les effets d’événement unique jusqu’à un LET de 43 MeV·cm²/mg.

L’entreprise indique également un fonctionnement à pleine charge de −55 °C à +100 °C et une disponibilité en quantités de production. L’adéquation au spatial et les caractéristiques de fiabilité sont des déclarations du fabricant, pas des résultats indépendants en mission.

Données

Chronologie

Nouveau convertisseur POL

Microchip a annoncé un convertisseur GaN résistant aux radiations pour l’électronique spatiale et l’alimentation des processeurs.

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    Microchip lance un convertisseur GaN résistant aux radiations pour processeurs spatiaux

    Microchip a annoncé un convertisseur GaN résistant aux radiations pour l’électronique spatiale et l’alimentation des processeurs.

Méthodologie

L’événement est l’annonce produit de Microchip du 14 octobre 2026. Les valeurs électriques et de radiation sont les caractéristiques publiées par l’entreprise pour le POL-05-20S-T; aucune comparaison indépendante n’est affirmée.

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