Microchip lanza un convertidor GaN resistente a radiación para procesadores espaciales
Microchip Technology añadió el POL-05-20S-T, un convertidor de potencia de punto de carga de nitruro de galio (GaN) resistente a radiación para sistemas espaciales. La empresa afirma que entrega 20 A de corriente continua y está dirigido a líneas de alimentación de FPGA, microcontroladores y ASIC de alta corriente.
Período del evento / de los datos: 2026-10-14
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Las especificaciones publicadas incluyen entrada de 4,75 a 13,2 V y salida ajustable de 0,7 a 5 V; el encapsulado de montaje superficial pesa 25 g. Microchip especifica tolerancia a dosis ionizante total de hasta 50 krad y caracteriza efectos de evento único hasta un LET de 43 MeV·cm²/mg.
La empresa también afirma que el dispositivo funciona a plena carga entre −55 °C y +100 °C y está disponible en cantidades de producción. La idoneidad espacial y las características de fiabilidad son afirmaciones del fabricante, no resultados independientes en una misión.
Datos
Nuevo convertidor POL
Microchip anunció un convertidor GaN resistente a radiación para electrónica espacial y alimentación de procesadores.
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Microchip lanza un convertidor GaN resistente a radiación para procesadores espaciales
Microchip anunció un convertidor GaN resistente a radiación para electrónica espacial y alimentación de procesadores.
Metodología
El evento es el anuncio de producto de Microchip del 14 de octubre de 2026. Las cifras eléctricas y de radiación son especificaciones publicadas por la empresa para el POL-05-20S-T; no se afirma una comparación independiente.
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