Power Integrations ve Ideal Power, 800 V yapay zekâ veri merkezleri için kesici mimarisi geliştirecek
İki ABD şirketi, yapay zekâ veri merkezlerinin 800 V doğru akım sistemleri için yarı iletken tabanlı bir katı hâl devre kesici üzerinde çalışıyor. Şirketler çalışan bir prototip gösterdiklerini ve referans tasarım geliştirdiklerini bildirdi.
Olay / veri dönemi: 2026-10-12
Yayın: · Güncelleme:
Power Integrations ile Ideal Power, 12 Ekim’de 800 V doğru akım mimarisine geçmesi beklenen yapay zekâ veri merkezleri için yeni bir koruma sistemi üzerinde işbirliği duyurdu. Tasarım, Power Integrations’ın 1700 V InnoMux-2 güç dönüştürücü entegresini Ideal Power’ın çift yönlü B-TRAN yarı iletken anahtarıyla birleştiriyor.
Şirketlerin açıklamasına göre entegre, 800 V hattından kontrol, algılama ve sürücü elektroniği için yalıtılmış güç sağlıyor; B-TRAN anahtarı ise bilgi işlem yüküne giden hattı koruyor. Taraflar çalışan bir prototip gösterdiklerini ve referans tasarım hazırladıklarını belirtti. Duyuru ticari satış veya bağımsız verim testi sonucu bildirmiyor.
Veriler
Power Integrations ve Ideal Power, 800 V yapay zekâ veri merkezleri için kesici mimarisi geliştirecek
İki ABD şirketi, yapay zekâ veri merkezlerinin 800 V doğru akım sistemleri için yarı iletken tabanlı bir katı hâl devre kesici üzerinde çalışıyor. Şirketler çalışan bir prototip gösterdiklerini ve referans tasarım geliştirdiklerini bildirdi.
- · Gerçekleşti
Power Integrations ve Ideal Power, 800 V yapay zekâ veri merkezleri için kesici mimarisi geliştirecek
İki ABD şirketi, yapay zekâ veri merkezlerinin 800 V doğru akım sistemleri için yarı iletken tabanlı bir katı hâl devre kesici üzerinde çalışıyor. Şirketler çalışan bir prototip gösterdiklerini ve referans tasarım geliştirdiklerini bildirdi.
Yöntem
Veriler, adı ve tarihi belirtilen birincil açıklamadan alınmıştır. Yatırım, kapasite ve takvim ifadeleri plan veya şirket tahmini olarak aktarılmış; bağımsız gerçekleşme olarak sunulmamıştır.
Güncelleme:
Duyurulan tasarım gerilimleri
Şirketlerin duyurduğu mimari ve bileşen değerleri.
| Gelişmekte olan DC bara mimarisi | 0.8 |
| InnoMux-2 entegresinin GaN teknolojisi kabiliyeti | 1.7 |
Yöntem
Kaynakta 800 V ve 1700 V olarak verilen değerler 1000’e bölünerek kV cinsinden gösterilir. Bunlar şirketlerin tasarım açıklamalarıdır; bağımsız sistem performans ölçümü değildir.
Güncelleme:
Konular ve yerler
Konu önerileri
- Yapay zekâÖneri
- Subject suggested from the title or summary: AIinvestors.power.com ↗
- Yarı iletkenler ve elektronik bileşenlerÖneri
- Subject suggested from the title or summary: semiconductorinvestors.power.com ↗
Coğrafi referanslar
Yalnızca kaynakta bulunan coğrafi referanslar gösterilir. Harici haritayı açmak isteğe bağlıdır. İsteğe bağlı haber haritaları OpenStreetMap kullanır. Haritayı açtığınızda IP adresiniz ve site adresi harita sağlayıcısına iletilir; harita yüklenmeden konum verileri metin olarak okunabilir.
- Amerika Birleşik Devletleri · Yer rolü: Kapsam · Yer türü: Ülke veya bölge · Konum kesinliği: BölgeselKanıt
- Explicit preserved editorial country/region; no city or national centroid inferredinvestors.power.com ↗