Tower Semiconductor y Semtech amplían la capacidad SiGe para enlaces de centros de datos de IA
Un acuerdo plurianual anunciado el 13 de octubre reservará capacidad de silicio-germanio de Tower para componentes de Semtech destinados a enlaces ópticos y de cobre en centros de datos de IA. La capacidad abarca fábricas en Estados Unidos, Israel y Japón.
Período del evento / de los datos: 2026-10-13
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Tower Semiconductor y la estadounidense Semtech anunciaron un acuerdo plurianual que amplía una relación de 20 años en componentes de silicio-germanio (SiGe) para enlaces de centros de datos. Semtech invertirá para asegurar capacidad dedicada en la red mundial de fábricas de Tower. El acuerdo busca añadir garantías de suministro a la producción actual.
Las empresas señalaron que los productos de Semtech se destinan a enlaces ópticos y de cobre de 800G, 1,6T y, más adelante, 3,2T en centros de datos de IA. El acuerdo cubre fábricas de Tower en Estados Unidos, Israel y Japón. No se divulgaron volúmenes reservados ni el valor monetario de la inversión; la demanda futura y los diseños adjudicados no garantizan pedidos de producción.
Datos
Tower Semiconductor y Semtech amplían la capacidad SiGe para enlaces de centros de datos de IA
Un acuerdo plurianual anunciado el 13 de octubre reservará capacidad de silicio-germanio de Tower para componentes de Semtech destinados a enlaces ópticos y de cobre en centros de datos de IA. La capacidad abarca fábricas en Estados Unidos, Israel y Japón.
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Tower Semiconductor y Semtech amplían la capacidad SiGe para enlaces de centros de datos de IA
Un acuerdo plurianual anunciado el 13 de octubre reservará capacidad de silicio-germanio de Tower para componentes de Semtech destinados a enlaces ópticos y de cobre en centros de datos de IA. La capacidad abarca fábricas en Estados Unidos, Israel y Japón.
Metodología
Los datos proceden del anuncio primario fechado. Las cifras de inversión, capacidad y calendario se presentan como planes o estimaciones de la empresa, no como resultados verificados de forma independiente.
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