Infineon und NVIDIA treiben GaN-Leistungswandlung für KI-Rechenzentren voran
Die Mitteilung vom 21. Oktober erweitert ihre Arbeit an 800-Volt-Gleichstromarchitekturen auf Hochvolt-Zwischenbuswandler.
Ereignis-/Datenzeitraum: 2026-10-21
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Infineon erklärte am 21. Oktober, die Zusammenarbeit mit NVIDIA zu 800-Volt-Gleichstromarchitekturen für KI-Rechenzentren auszubauen. Die Ankündigung erfolgte begleitend zur NVIDIA-Entwicklerkonferenz GTC in Berlin und betrifft den Hochvolt-Zwischenbuswandler, eine Stufe der Stromversorgungskette von Rechenzentren. Infineon hob Galliumnitrid für diese Anwendung hervor; die Mitteilung beschreibt eine Zusammenarbeit und bestätigt keinen Einsatz in ausgelieferten Anlagen.
Laut Infineon unterstützt das GaN-Portfolio Wandlungsverhältnisse von 800 auf 50, 12 und 6 Volt und eröffnet damit Optionen für die Stromarchitektur von Racks. Beide Unternehmen ordneten die Arbeit als Fortsetzung der 2025 angekündigten Zusammenarbeit ein und erklärten, dass auch der Schutz des Strompfads dazugehört. Die Mitteilung nennt weder installierte Systeme noch tatsächlich erzielte Energieeinsparungen.
Daten
Infineon und NVIDIA treiben GaN-Leistungswandlung für KI-Rechenzentren voran
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Infineon und NVIDIA treiben GaN-Leistungswandlung für KI-Rechenzentren voran
Die Mitteilung vom 21. Oktober erweitert ihre Arbeit an 800-Volt-Gleichstromarchitekturen auf Hochvolt-Zwischenbuswandler.
Methodik
Grundlage ist die Infineon-Mitteilung vom 21. Oktober; sie enthält keine Messung installierter Kapazität oder erzielter Einsparungen.
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