# UC San Diego ekibi, neuristörlerde akımın malzeme belleğini nasıl etkilediğini gösterdi

> UC San Diego araştırmacıları, elektrikle çalışan vanadyum dioksit neuristörlerde nanobölgelerin yeniden düzenlenmesini eşzamanlı koherent X-ışını kırınımıyla izledi. Bulgular, akımın cihazın önceki durumunu öğrenme ve unutma biçimini değiştirebildiğini gösteriyor.

- Kalıcı adres: https://newsverum.com/tr/news/uc-san-diego-neuristor-jamming-memory-quantum-materials
- Yayıncı: Newsverum
- Bölüm: Teknoloji
- Ülke: Amerika Birleşik Devletleri
- Yayın: 2026-10-15T22:33:53+00:00
- Güncelleme: 2026-10-15T22:33:53+00:00
- Olay / veri dönemi: 2026-09-24
- Diğer sürümler: [English](https://newsverum.com/en/news/uc-san-diego-neuristor-jamming-memory-quantum-materials.md), [العربية](https://newsverum.com/ar/news/uc-san-diego-neuristor-jamming-memory-quantum-materials.md), [Français](https://newsverum.com/fr/news/uc-san-diego-neuristor-jamming-memory-quantum-materials.md), [Español](https://newsverum.com/es/news/uc-san-diego-neuristor-jamming-memory-quantum-materials.md), [Deutsch](https://newsverum.com/de/news/uc-san-diego-neuristor-jamming-memory-quantum-materials.md), [Português](https://newsverum.com/pt/news/uc-san-diego-neuristor-jamming-memory-quantum-materials.md)

UC San Diego araştırmacıları, elektrikle çalışan vanadyum dioksit neuristörlerde nanobölgelerin yeniden düzenlenmesini eşzamanlı koherent X-ışını kırınımıyla izledi. Bulgular, akımın cihazın önceki durumunu öğrenme ve unutma biçimini değiştirebildiğini gösteriyor.

Ekip, malzemenin sıvı benzeri hareketli durumdan sıkışmış ya da cam benzeri bir duruma geçişini inceledi. Üniversitenin açıklamasına göre akışın sıkışması öğrenmeyi mümkün kılıyor; serbest akışın yeniden sağlanması ise belleği siliyor. Bu kontrol, beyin benzeri hesaplama donanımı araştırmaları için bir yaklaşım sunuyor.

UC San Diego, araştırmanın 24 Eylül 2026’da Nature Communications dergisinde yayımlandığını; üniversite haberinin ise 13 Ekim’de çıktığını belirtiyor. Sonuç, laboratuvarda bir malzeme fiziği gösterimidir; enerji tüketimi ölçümü veya satışa sunulmuş ticari bir nöromorfik ürün değildir.

## Veriler

### UC San Diego ekibi, neuristörlerde akımın malzeme belleğini nasıl etkilediğini gösterdi

Olay tarihi, araştırmanın kaynakta belirtilen 24 Eylül yayın tarihidir. UC San Diego’nun 13 Ekim tarihli haberi araştırma yöntemini ve sonucunu aktarmaktadır; çalışma ticari ürün performansını ölçmemiştir.

Yöntem: Bu kayıt, belirtilen birincil yayındaki araştırma veya proje duyurusunu özetler. Duyuru, gelecekteki araştırma planlarını tamamlanmış bilimsel sonuçlardan ayırır.

| date | label | description | status |
|---|---|---|---|
| 2026-09-24 | UC San Diego ekibi, neuristörlerde akımın malzeme belleğini nasıl etkilediğini gösterdi | Olay tarihi, araştırmanın kaynakta belirtilen 24 Eylül yayın tarihidir. UC San Diego’nun 13 Ekim tarihli haberi araştırma yöntemini ve sonucunu aktarmaktadır; çalışma ticari ürün performansını ölçmemiştir. | occurred |

Kaynaklar: <https://today.ucsd.edu/story/jamming-flow-to-enable-memory-in-quantum-materials> · Veriyi indir: [JSON](https://newsverum.com/api/v1/articles/uc-san-diego-neuristor-jamming-memory-quantum-materials/data/source-event?lang=tr&format=json) · [CSV](https://newsverum.com/api/v1/articles/uc-san-diego-neuristor-jamming-memory-quantum-materials/data/source-event?lang=tr&format=csv)

## Kaynaklar

- [UC San Diego Today](<https://today.ucsd.edu/story/jamming-flow-to-enable-memory-in-quantum-materials>) (Kaynak kontrolü: 2026-10-15; Yayın: 2026-10-13)

---

Alıntı için yukarıdaki kalıcı adresi kullanın. [Yayın ilkeleri ve düzeltmeler](https://newsverum.com/tr/editorial)