{"article_url":"https://newsverum.com/ar/news/navitas-2300v-8-milliohm-sic-full-bridge-module","block":{"description":{"ar":"أُعلن عن وحدة الجسر الكامل الجديدة لتطبيقات الشبكة وتخزين الطاقة.","de":"Das neue Vollbrückenmodul wurde für Netz- und Energiespeicheranwendungen vorgestellt.","en":"The new full-bridge module was announced for grid and energy-storage applications.","es":"El nuevo módulo de puente completo se anunció para aplicaciones de red y almacenamiento de energía.","fr":"Le nouveau module en pont complet a été annoncé pour les applications réseau et de stockage d’énergie.","pt":"O novo módulo de ponte completa foi anunciado para aplicações de rede e armazenamento de energia.","tr":"Yeni tam köprü modülü, şebeke ve enerji depolama uygulamaları için duyuruldu."},"id":"reported-measures","items":[{"date":"2026-10-21","description":{"ar":"قدمت نافيـتاس وحدة G4H08MT23GB4 بجهد 2300 فولت من نوع SiC وبجسر كامل، مع مقاومة تشغيل تبلغ 8 ملي أوم وفق الشركة. وهذه مواصفة منتج وليست قياساً لكفاءة النظام.","de":"Navitas stellte das SiC-Modul G4H08MT23GB4 mit 2300 V in Vollbrückenausführung und einem vom Unternehmen angegebenen Einschaltwiderstand von 8 mΩ vor. Dies ist eine Produktspezifikation, keine Messung der Systemeffizienz.","en":"Navitas introduced the G4H08MT23GB4 2300 V full-bridge SiC module with a company-reported 8 mΩ on-resistance. This is a product specification, not a system-efficiency measurement.","es":"Navitas presentó el módulo SiC G4H08MT23GB4 de 2300 V en puente completo, con una resistencia en conducción indicada por la empresa de 8 mΩ. Es una especificación del producto, no una medición de eficiencia del sistema.","fr":"Navitas a présenté le module SiC G4H08MT23GB4 de 2 300 V en pont complet, avec une résistance à l’état passant annoncée de 8 mΩ. Il s’agit d’une spécification produit, pas d’une mesure d’efficacité système.","pt":"A Navitas apresentou o módulo SiC G4H08MT23GB4 de 2300 V em ponte completa, com resistência em condução de 8 mΩ informada pela empresa. Trata-se de especificação do produto, não de medição da eficiência do sistema.","tr":"Navitas, G4H08MT23GB4 2300 V tam köprü SiC modülünü, şirketin bildirdiği 8 mΩ anahtar başına açık durum direnciyle tanıttı. Bu bir ürün özelliğidir, sistem verimliliği ölçümü değildir."},"label":{"ar":"الإعلان عن عائلة المنتج","de":"Produktfamilie vorgestellt","en":"Product family announced","es":"Familia de productos anunciada","fr":"Famille de produits annoncée","pt":"Família de produtos anunciada","tr":"Ürün ailesi duyurusu"},"status":"occurred"}],"methodology":{"ar":"المواصفات مأخوذة من إعلان الشركة في 21 أكتوبر؛ وهو إعلان منتج لتقنية قيد التطوير.","de":"Die Spezifikationen stammen aus der Unternehmensmitteilung vom 21. Oktober; es handelt sich um eine Produktankündigung für eine Technologie in Entwicklung.","en":"Specifications are taken from the company announcement dated 21 October; this is a product announcement for a technology under development.","es":"Las especificaciones proceden del comunicado de la empresa del 21 de octubre; es un anuncio de un producto en desarrollo.","fr":"Les spécifications proviennent du communiqué de l’entreprise du 21 octobre ; il s’agit d’une annonce de produit en développement.","pt":"As especificações vêm do comunicado da empresa de 21 de outubro; trata-se do anúncio de um produto em desenvolvimento.","tr":"Özellikler 21 Ekim tarihli şirket duyurusundan alınmıştır; bu bir araştırma ve geliştirme aşamasındaki ürün duyurusudur."},"sourceUrls":["https://rss.globenewswire.com/news-release/2026/10/21/3385531/0/en/navitas-unveils-next-generation-ultra-high-voltage-sic-power-module-to-advance-energy-and-grid-infrastructure-efficiency.html"],"title":{"ar":"مقاومة تشغيل الوحدة","de":"Einschaltwiderstand des Moduls","en":"Module on-resistance","es":"Resistencia en conducción del módulo","fr":"Résistance à l’état passant du module","pt":"Resistência em condução do módulo","tr":"Module on-resistance"},"type":"events","updatedAt":"2026-10-21T14:19:39Z"},"version":1}